Micron dan Nanya Mengenalkan DRAM 42-Nanometer

Sebuah memori DDR3-2 gigabit (Gb) menggunakan DRAM 42-nanometer (nm) berhasil dikembangkan oleh Micron Technology, Inc. dan Nanya Technology Corporation. Teknologi berbasis tembaga ini niscaya akan berguna dalam aplikasi-aplikasi komputasi berkinerja tinggi, termasuk server, notebook, dan desktop.

 Kelebihan dari teknologi 42nm ini juga membuat daya 1,35 volt menjadi daya standar yang digunakan luas dibandingkan dengan 1,5 volt pada memori generasi sebelumnya. Perlu diketahui, pengurangan konsumsi daya ini sangat penting bagi server, karena biaya daya dan infrastruktur pendingin sebanding dengan biaya peralatan server sendiri. dengan daya sebesar 1,35 volt, maka penghematan dapat mencapai hingga 30%.

Demikian halnya ketika memori pada server ditingkatkan. Konsumsi daya pada memori pun akan meningkat juga. Diperkirakan akan mencapai hingga 21 watt per modul dan mencapai kinerja memori 1866 megabit per detik. Berkat cetakan memori yang kecil dan kepadatan 2Gb dari perangkat DDR3-42nm, mampu menghasilkan modul hingga kapasitas 16Gb.

“Dengan pergerakan menuju 42nm dan dengan proses 3Xnm yang sudah bekerja baik di fasilitas R&D kami di Boise, keahlian Micron dalam metalisasi tembaga dan teknologi kapasitor sel khusus membuat kami tetap menjadi yang terdepan dalam desain proses DRAM,” kata Robert Feurle (Vice President DRAM Marketing).

Alasan Micron menggunakan tembaga ini antara lain adalah karena bahan tembaga yang hemat biaya, dibandingkan dengan teknik metalisasi lainnya seperti aluminium. Pengiriman sampel ini dijadwalkan akan dimulai pada kuartal kedua kalender 2010, sedangkan pelaksanaan produksi direncanakan akan mulai pada semester kedua tahun ini

 sumber : infoKom

Posted in: IT News